WEKO3
アイテム
トリハライド気相成長法によるIII族窒化物およびIII族セスキ酸化物半導体の結晶成長に関する研究
http://hdl.handle.net/10636/00001896
http://hdl.handle.net/10636/0000189659c39992-fdb4-495c-aeba-85207497e34c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文 fulltext (5.2 MB)
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要旨 abstract (105.9 kB)
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結果の要旨 review (228.1 kB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2021-12-10 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | トリハライド気相成長法によるIII族窒化物およびIII族セスキ酸化物半導体の結晶成長に関する研究 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | A study on growth by tri-halide vapor phase epitaxy for III-nitride and III-sesqui oxide semiconductor | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | トリハライドキソウセイチョウホウニヨルIIIゾクチッカブツオヨビIIIゾクセスキサンカブツハンドウタイノケッショウセイチョウニカンスルケンキュウ | |||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||||||
| 著者 |
江間, 研太郎
× 江間, 研太郎
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| 所属 | ||||||||||||
| 所属 | Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering / 工学府 応用化学専攻 | |||||||||||
| 学位名 | ||||||||||||
| 学位名 | 博士（工学）(ja) Doctor of Philosophy (Engineering)(en) |
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| 学位授与機関 | ||||||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||||||
| 学位授与機関識別子 | 12605 | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 学位授与機関名 | 東京農工大学 | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 学位授与機関名 | Tokyo University of Agriculture and Technology | |||||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||||
| 学位授与年月日 | 2021-09-15 | |||||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||||
| 学位授与番号 | 博工甲第1199号 | |||||||||||
